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MMBTH10

更新时间： 2024-11-14 14:53:55

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鲁光 - LGE		光电二极管双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	600K
描述
双极型晶体管

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MMBTH10 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	25
Collector Current - Continuous：	0.05	DC current gain - Min：	60
DC current gain - Max：		Transition frequency：	650
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

MMBTH10 数据手册

MMBTH10

Silicon Epitaxial Planar Transistor

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

SOT-23

Min

FEATURES

Dim

Max

3.10

1.50

2.70

High transition frequency.

1.10

Power dissipation.(P_C=350mW).

1.0 Typical

0.4 Typical

0.35

0.48

2.00

0.1

1.80

0.02

APPLICATIONS

0.1 Typical

VHF/UHF Transistor.

2.20

2.60

All Dimensions in mm

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

3EM

Package Code

SOT-23

MMBTH10

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

℃

P_C

350

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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