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MMBTA92LT1

更新时间： 2024-11-17 22:39:43

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管光电二极管高压
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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MMBTA92LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA92LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistor

PNP Silicon

MMBTA92LT1

COLLECTOR

MMBTA93LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Value

Rating

Symbol MMBTA92 MMBTA93 Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

–300

–200

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

–5.0

–500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

MMBTA92LT1 = 2D, MMBTA93LT1 = 2E

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

Vdc

MMBTA92

MMBTA93

–300

–200

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

V _(BR)CBO

Vdc

(I _C= –100 µAdc, I _E= 0)

MMBTA92

MMBTA93

–300

–200

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= –100 µAdc, I _C= 0)

Collector Cutoff Current

( V _CB= –200Vdc, I _E= 0)

( V _CB= –160Vdc, I _E= 0)

Collector Cutoff Current

( V _CB= –3.0Vdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CBO

–5.0

—

Vdc

nAdc

MMBTA92

MMBTA93

—

–0.25

I _EBO

—

–0.1

µAdc

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

2.0%.

M32–1/3

12 3

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