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MMBTA92

更新时间： 2024-02-05 12:09:51

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	1577K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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MMBTA92 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA92 数据手册

MMBTA92

TRANSISTOR(PNP)

SOT-23

FEATURES

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

High voltage transistor

MARKING:2D

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

-300

-5

Units

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-300

300

℃

P_C

T_j

150

T_stg

R_ӨJA

Storage Temperature

-55-150

410

℃

℃/mW

Thermal Resistance, junction to Ambient

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-300

-5

I_C= -100μA, I_E=0

I_C= -1mA, I_B=0

I_E= -100μA, I_C=0

V_CB=-200V, I_E=0

-0.25

-0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE= -10V, I_C= -1mA

V_CE= -10V, I_C=-10mA

V_CE= -10V, I_C=-30mA

I_C=-20mA, I_B= -2mA

I_C= -20mA, I_B= -2mA

100

DC current gain

h_FE(2)

200

h_FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

_CE(sat)

_BE(sat)

-0.2

-0.9

V_CE=-20V, I_C= -10mA

f=30MHz

Transition frequency

MHz

f_T

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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