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MMBTA70

更新时间： 2024-10-29 05:49:23

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1页	42K
描述
General Purpose Transistor

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MMBTA70 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

General Purpose Transistor

MMBTA70

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

3

Features

General Purpose Transistor

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-40

Unit

V

-4

V

Collector current

-100

mA

Total Device Dissipation FR-5 Board

(* 1) @T^A= 25

PD

225

1.8

mW

Derate above 25

mW/

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

RèJA

556

/W

Total Device Dissipation Alumina

Substrate, (* 2)

PD

@T^A= 25

mW

300

2.4

Derate above 25

mW/

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Junction temperature

RèJA

T^j

417

150

/W

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* 1. FR-5 = 1.0 ×0.75 ×0.062 in.

* 2. Alumina = 0.4 ×0.3 ×0.024 in. 99.5% alumina.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-40

Typ

Max

Unit

V

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

V^(BR)CEOIC = -1.0 mA, IB = 0

V^(BR)EBOIE = -100 ìA, IC = 0

-4.0

V

I^CBO

H^FE

VCB = -30 V, IE = 0

-100

400

nA

DC current gain

IC = -5.0 mA, VCE = -10 V

40

Collector-emitter saturation voltage

Current-gain-bandwidth product

Output capacitance

V^CE(sat) IC = -10 mA, IB = -1.0 mA

-0.25

V

f^T

IC = -5.0 mA, VCE = -10 V, f = 100 MHz 125

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

MHz

pF

C^obo

4.0

Marking

Marking

M2C

1

www.kexin.com.cn

1

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