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MMBTA44

更新时间： 2025-07-19 19:54:55

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桂微 - GSME		/
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2页	296K
描述
Polarity : NPN; Pcm(mW) : 225; Ic(mA) : 200; BVCEO(V) : 400; Package : SOT-23;

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桂林斯壯桂微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMBTA44(销售型號 MMBTA44)

■FEATURES 特點

NPN High Voltage Transistor

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Ic

400

400

7

V

V

Collector-Emitter Voltage 集電極-射極電壓

Collector-Base Voltage 集電極-極電壓

V

Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓

Collector Current 集電極電流

Device Dissipation 耗散功率

200

225

mA

mW

P_D

Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度

T_J,T_stg

-55to+125

℃

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic 特性參數

Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V

V

V

400

—

V

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

集電極-射極擊穿電壓(I_C=1mA,I =0)

B

Collector-Base Breakdown Voltage

集電極-基極擊穿電壓(I_C=100µA,I_E=0)

400

7

__

—

V

V

Emitter-Base Breakdown Voltage

發射極-基極擊穿電壓(I_E= 100µA ,I_C=0)

Collector Cutoff Current 集電極截止電流

I

__

40

500

300

nA

—

CBO

(V =300VI =0)

CB

E

DC Current Gain 直流電流增益

(I =10mA,V =10.0V)

H_FE

c

CE

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極-發射極飽和壓降

V

—

50

0.5

__

V

CE(sat)

(I =100mA, I =10mA)

c

B

Current-Gain-Bandwidth Product

電流增益帶寬乘積

f_T

MHz

(I =10mA,V =20V,f=30MHz)

c

CE

12

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