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MMBTA06

更新时间: 2024-11-16 22:54:39
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KEC 晶体放大器晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 109K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (DRIVER STAGE AMPLIFIER, VOLTAGE AMPLIFIER)

MMBTA06 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.08最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA06 数据手册

  

MMBTA06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBTA06-7 DIODES

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBTA06-7-F DIODES

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NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA06-AE3-R UTC

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