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MMBTA06

更新时间： 2024-02-14 06:07:33

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	739K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBTA06 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA06 数据手册

MMBTA06

TRANSISTOR(NPN)

SOT–23

FEATURES

 For Switching and Amplifier Applications

 Complementary Type PNP Transistor MMBTA56

MARKING: 1GM

1. BASE

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

300

P_C

R_ΘJA

T_j

416

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBOI_C=0.1mA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=0.1mA, I_C=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_CES

V_CB=80V, I_E=0

0.1

400

µA

V_CE=60V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=1V, I_C=100mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=2V,I_C=10mA, f=100MHz

100

DC current gain

0.25

1.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

100

MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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