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MMBTA06

更新时间： 2024-01-14 03:16:10

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SECOS		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	470K
描述
Plastic-Encapsulate Transistor

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MMBTA06 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA06 数据手册

MMBTA06

Plastic-Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

Features

• NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for

switching and amplifier applications.

SOT-23

Min

3.Collector

Dim

Max

• As complementary type, the PNP tranistor MMBTA56 is

recommended.

2.800

1.200

0.890

0.370

1.780

0.013

0.085

0.450

0.890

2.100

0.450

3.040

1.400

1.110

0.500

2.040

0.100

0.177

0.600

1.020

2.500

0.600

1. Base

• This transistor is also available in the TO-92 case with the

type designation MPSA06.

2. Emitter

Mechanical Data

Top View

Case: SOT-23 Plastic Package

Weight: approx. 0.008g

Marking Code: 1GM

All Dimension in mm

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

4.0

500

277⁽¹⁾

300⁽²⁾

Power Dissipation at T_A= 25°C

P_tot

Thermal Resistance Junction to Ambiant Air

Junction Temperature

450⁽¹⁾

°C/W

°C

θJA

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

–65 to +150

°C

Notes: Device on alumina substrate.

Electrical Characteristics(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CES

Test Condition

I_C= 100µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

Min

4.0

—

Typ

Max

—

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Cutoff Current

Collector-Base Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

—

I_E= 100µA, I_C= 0

V_CE= 60V, I_B= 0

V_CB= 80V, I_E= 0

I_C= 100mA, I_B= 10mA

I_C= 100mA, V_CE= 1V

—

100

0.25

1.2

I_CBO

—

V_CEsat

—

V_BE(on)

—

V_CE= 1V, I_C= 10mA

V_CE= 1V, I_C= 100mA

100

—

DC Current Gain

h_FE

f_T

V_CE= 2V, I_C= 10mA

f = 100MHz

Gain-Bandwidth Product

100

—

MHz

—

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2004 Rev. B

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与MMBTA06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA06_03	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
MMBTA06_09	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA06_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBTA06-3L	BL Galaxy Electrical	获取价格	80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBTA06-7	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBTA06-7-F	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA06-AE3-R	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA06-AH	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA06-AU	PANJIT	获取价格	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBTA06-G	WEITRON	获取价格	Transistor

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