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MMBTA06 PDF预览

MMBTA06

更新时间： 2024-09-26 10:52:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 653K
描述
NPN Small Signal General Purpose Amplifier Transistors

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MMBTA06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMBTA06 数据手册

 浏览型号MMBTA06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA06的Datasheet PDF文件第4页 
MMBTA05  
THRU  
MMBTA06  
M C C  
Micro Commercial Components  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
·
Epitaxial Planar Die Construction  
NPN Small Signal  
General Purpose  
Amplifier Transistors  
Complementary PNP Types Available (MMBTA55/MMBTA56)  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching.  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
SOT-23  
Marking:  
MMBTA05:1H/K1H  
MMBTA06:1GM/K1G  
x
A
D
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
MMBTA05  
MMBTA06  
C
60  
80  
V
B
C
VCBO  
Collector-Base Voltage  
MMBTA05  
60  
80  
4.0  
500  
300  
V
MMBTA06  
E
B
F
E
VEBO  
IC  
PD  
RθJA  
TJ  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Power Dissipation*  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature  
V
mA  
mW  
K/W  
R
357  
H
G
J
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
K
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Max  
DIMENSIONS  
Symbol  
Parameter  
Min  
Units  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
MAX  
NOTE  
OFF CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
B
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
C
D
E
Vdc  
Vdc  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
---  
---  
1.78  
.45  
F
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0) MMBTA05  
(VCB=80Vdc, IE=0) MMBTA06  
Emitter Cutoff Current  
G
H
J
.013  
.89  
.100  
1.12  
.180  
.51  
4.0  
---  
.085  
.37  
K
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
ICES  
(VCE=60Vdc, IB=0) MMBTA05  
(VCE=80Vdc, IB=0) MMBTA06  
---  
---  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
.031  
.800  
ON CHARACTERISTICS  
.035  
.900  
hFE  
DC Current Gain  
(VCE=1.0Vdc, IC=10mAdc)  
(VCE=1.0Vdc, IC=100mAdc)  
100  
100  
---  
---  
.079  
2.000  
inches  
mm  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Current-Gain—Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=2.0Vdc, f=100MHz)  
---  
---  
0.25  
1.2  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
.037  
.950  
100  
.037  
.950  
* Valid provided that terminals are kept at ambient temperature..  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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MMBTA06 替代型号

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