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MMBTA06

更新时间： 2024-02-20 21:48:41

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors

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MMBTA06 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA06 数据手册

MMBTA05 / MMBTA06

Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors

Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2007-06-25

Power dissipation

Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

0.4

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Dimensions / Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBTA05

MMBTA06

80 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

I_C

60 V

80 V

4 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Base current – Basisstrom

500 mA

I_B

100 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I_BM

T_j

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 60 V

I_E= 0, V_CB= 80 V

MMBTA05

MMBTA06

I_CB0

–

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 4 V

I_EB0

–

100 nA

250 mV

1.2 V

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

V_CEsat

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

V_BEsat

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MMBTA06 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA06LT1	ONSEMI	类似代替	Driver Transistors(NPN Silicon)
PMBTA56	NXP	类似代替	PNP general purpose transistor
MMBTA06LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors NPN Silicon

与MMBTA06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA06_03	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
MMBTA06_09	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA06_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBTA06-3L	BL Galaxy Electrical	获取价格	80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBTA06-7	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBTA06-7-F	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA06-AE3-R	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA06-AH	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA06-AU	PANJIT	获取价格	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBTA06-G	WEITRON	获取价格	Transistor

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