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MMBT8550W_1.5A

更新时间： 2024-10-03 14:55:15

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8550W_1.5A 数据手册

MMBT8550W(1.5A)

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_CM

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

1.5

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

200

℃

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimm recommended pad layout.

Dated: 31/08/2022 Rev: 04

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