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MMBT5551LT1

更新时间： 2024-10-01 22:54:43

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乐山 - LRC		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	163K
描述
High Voltage Transistors(NPN Silicon)

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MMBT5551LT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBT5551LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistors

NPN Silicon

COLLECTOR

MMBT5550LT1

MMBT5551LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

140

160

6.0

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Vdc

600

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

°C/W

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBT5550LT1 = M1F, MMBT5551LT1 = G1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

V _(BR)CEO

Vdc

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0)

MMBT5550

140

160

—

MMBT5551

Collector–Base Breakdown Voltage

V _(BR)CBO

Vdc

(I _C= 100 µAdc, I _E= 0)

MMBT5550

MMBT5551

160

180

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CBO

6.0

—

Collector Cutoff Current

( V _CB= 100Vdc, I _E= 0)

( V _CB= 120Vdc, I _E= 0)

MMBT5550

MMBT5551

—

100

nAdc

( V _CB= 100Vdc, I _E= 0, T _A=100 °C) MMBT5550

( V _CB= 120Vdc, I _E= 0, T _A=100 °C) MMBT5551

Emitter Cutoff Current

100

µAdc

I _EBO

—

nAdc

( V _BE= 4.0Vdc, I _C= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.

M20–1/4

12 3 4

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MMBT5551LT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT5551-7-F	DIODES	功能相似	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551LT1G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistors
MMBT5550LT1G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistors

与MMBT5551LT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5551LT1_15	WINNERJOIN	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MMBT5551LT1G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBT5551LT3	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBT5551LT3G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors
MMBT5551L-X-AE3-6-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551L-X-AE3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551M3T5G	ONSEMI	获取价格	NPN High Voltage Transistor
MMBT5551Q	DIODES	获取价格	NPN, 160V, 0.6A, SOT23
MMBT5551Q	YANGJIE	获取价格	SOT-23
MMBT5551S	SWST	获取价格	小信号晶体管

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