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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5401LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
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| MMBT5401LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT5401LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT5401L-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5401M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
150 V，60 mA，低饱和压，PNP 晶体管，SOT-723 |
|
| MMBT5401Q | DIODES |
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PNP, 150V, 0.6A, SOT23 |
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| MMBT5401Q | YANGJIE |
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SOT-23 |
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| MMBT5401S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SO-3 |
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| MMBT5401T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
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| MMBT5401-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
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