Datasheet > MMBT4403LT1

MMBT4403LT1

更新时间： 2024-01-24 23:45:33

品牌	Logo	应用领域
威伦 - WILLAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	437K
描述
General Purpose Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT4403LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT4403LT1 数据手册

WILLAS

MMBT4403LT1

GeneralPurposeTransistors

PNP Silicon

•

RoHS product for packing code suffix "G"

Halogen free product for packing code suffix "H"

●

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

M MBT4403LT1

3000/Tape & Reel

SOT– 23

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

– 40

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

– 40

Vdc

COLLECTOR

– 5.0

– 600

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

BASE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

EMITTER

Total Device Dissipation FR –5 Board (1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

°C/W

Alumina Substrate (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

M MBT4403LT1 = 2T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BEV

Vdc

– 40

– 5.0

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –0.1mAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= –0.1mAdc, I _C= 0)

Vdc

—

Base Cutoff Current

µAdc

(V _CE= –35 Vdc, V _EB= –0.4 Vdc)

Collector Cutoff Current

– 0.1

I _CEX

(V _CE= –35 Vdc, V _EB= –0.4 Vdc)

—

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs; Duty Cycle <2.0%.

2012-11

WILLAS ELECTRONIC CORP.

12 3 4 5 6

下载PDF

与MMBT4403LT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT4403LT1G	ONSEMI	Switching Transistor(PNP Silicon)	获取价格
MMBT4403LT1S	MOTOROLA	Transistor	获取价格
MMBT4403LT1-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC	获取价格
MMBT4403LT3	ONSEMI	Switching Transistor(PNP Silicon)	获取价格
MMBT4403LT3G	ONSEMI	Switching Transistor	获取价格
MMBT4403M3T5G	ONSEMI	PNP Switching Transistor	获取价格