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MMBT4401

更新时间： 2024-01-22 09:17:05

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TAITRON		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	225K
描述
SMD General Purpose Transistor (NPN)

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MMBT4401 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT4401 数据手册

SMD General Purpose

Transistor (NPN)

MMBT4401

SMD General Purpose Transistor (NPN)

Features

• NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for

Switching and Amplifier Applications

Mechanical Data

SOT-23

Case:

Terminals:

Weight:

SOT-23, Plastic Package

Solderable per MIL-STD-202G, Method 208

0.008 gram

Maximum Ratings (T _Ambient=25ºC unless noted otherwise)

Symbol

Description

MMBT4401

Unit

Conditions

Marking Code

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

VCBO

VCEO

Emitter-Base Voltage

Collector Current

6.0

0.6

VEBO

Power Dissipation above 25°C

250

357

° C /W

° C

Ptot

RθJA

Note 1

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

150

-55 to +150

° C

Storage Temperature Range

TSTG

Note: (1) Device mounted on FR-4 PCB 1.6’’ x 1.6’’ x 0.06’’

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com

Rev. A/AH 2008-03-26

Page 1 of 3

Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766

Fax: (800)-TAITFA (800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

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