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MMBT2222

更新时间: 2024-01-30 13:22:44
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

MMBT2222 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):285 ns
最大开启时间(吨):35 nsBase Number Matches:1

MMBT2222 数据手册

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