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MMBT2222 PDF预览

MMBT2222

更新时间： 2024-11-01 14:54:43
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE 双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 1057K
描述
双极型晶体管

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MMBT2222 技术参数

极性：NPNCollector-emitter breakdown voltage：30
Collector Current - Continuous：0.6DC current gain - Min：100
DC current gain - Max：300Transition frequency：250
Package：SOT-23Storage Temperature Range：-55-150
class：Transistors

MMBT2222 数据手册

 浏览型号MMBT2222的Datasheet PDF文件第2页 
MMBT2222  
NPN General Purpose Amplifier  
A
SOT-23  
Min  
FEATURES  
Dim  
A
Max  
3.10  
1.50  
z
Epitaxial planar die construction.  
2.70  
E
B
1.10  
z
Ultra-small surface mount package.  
K
B
C
D
E
1.0 Typical  
0.4 Typical  
0.35  
0.48  
2.00  
0.1  
J
D
APPLICATIONS  
G
H
J
1.80  
0.02  
G
z
Use as a medium power amplifier.  
0.1 Typical  
z
Switching requiring collector currents up to 500mA.  
H
K
2.20  
2.60  
C
All Dimensions in mm  
ORDERING INFORMATION  
Type No.  
Marking  
M1B  
Package Code  
SOT-23  
MMBT2222  
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
600  
mA  
mW  
℃/W  
℃
PC  
300  
Thermal resistance Junction to ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
Tj,Tstg  
417  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN TYP MAX UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
IC=10μA IE=0  
60  
V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO  
IC=10mA IB=0  
IE=10μA IC=0  
VCB=50V IE=0  
VEB=3V IC=0  
30  
5
V
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
10  
μA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
0.01 μA  
VCE=10V IC=150mA  
VCE=10V IC=0.1mA  
VCE=10V IC=1.0mA  
100  
35  
300  
50  
DC current gain  
hFE  
VCE=10V IC=10mA  
75  
VCE=10V IC=500mA  
VCE=1V IC=150mA  
IC=500mA IB=50mA  
IC=150mA IB=15mA  
IC=500mA IB=50mA  
IC=150mA IB=15mA  
30  
50  
1.6  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.4  
2.6  
V
1.3  
VCE=20V IC=20mA  
f=100MHz  
Transition frequency  
fT  
250  
MHz  
pF  
Output capacitance  
Input capacitance  
Delay time  
Cobo  
Cibo  
td  
VCB=10V,IE=0,f=1MHz  
VEB=0.5V,IC=0, f=1MHz  
8.0  
30  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
Vcc=30V, VBE(off)=0.5V  
IC=150mA , IB1= 15mA  
Rise time  
tr  
25  
Storage time  
Fall time  
ts  
225  
60  
VCC=30V, IC=150mA  
IB1=IB2=15mA  
tf  
http://www.lgesemi.com  
mail:lge@lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
12

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