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MMBT2222

更新时间： 2024-09-13 04:39:27
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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MMBT2222 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBT2222LT1  
MMBT2222ALT1  
General Purpose Transistors  
NPN Silicon  
*
*ON Semiconductor Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
2222  
30  
2222A  
40  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
3
60  
75  
Vdc  
1
Emitter–Base Voltage  
5.0  
6.0  
Vdc  
2
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
600  
mAdc  
C
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
q
JA  
P
COLLECTOR  
3
D
(2)  
Alumina Substrate, T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
1
q
JA  
BASE  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
2
MMBT2222LT1 = M1B; MMBT2222ALT1 = 1P  
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
MMBT2222  
MMBT2222A  
V
30  
40  
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
MMBT2222  
MMBT2222A  
V
V
60  
75  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
MMBT2222  
MMBT2222A  
5.0  
6.0  
—
—
E
C
Collector Cutoff Current (V = 60 Vdc, V  
= 3.0 Vdc)  
MMBT2222A  
I
—
10  
nAdc  
CE  
EB(off)  
CEX  
Collector Cutoff Current (V = 50 Vdc, I = 0)  
MMBT2222  
MMBT2222A  
MMBT2222  
MMBT2222A  
I
—
—
—
—
0.01  
0.01  
10  
µAdc  
CB  
E
CBO  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
CB  
E
(V = 50 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
CB  
E
A
(V = 60 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
10  
CB  
E
A
Emitter Cutoff Current (V = 3.0 Vdc, I = 0)  
MMBT2222A  
MMBT2222A  
I
EBO  
—
—
100  
20  
nAdc  
nAdc  
EB  
C
Base Cutoff Current (V = 60 Vdc, V  
= 3.0 Vdc)  
I
BL  
CE  
EB(off)  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBT2222LT1/D  
12345678

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MMBT2222 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KST2222AMTF ONSEMI

完全替代

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