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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.32 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2222 | BL Galaxy Electrical |
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NPN General Purpose Amplifier |
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| MMBT2222 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors NPN Silicon |
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| MMBT2222 | SEMTECH |
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NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor |
|
| MMBT2222 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(NPN) |
|
| MMBT2222 | SAMSUNG |
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NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
|
| MMBT2222 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBT2222 | NXP |
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NPN switching transistor |
|
| MMBT2222 | TYSEMI |
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Epitaxial planar die construction. |
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| MMBT2222 | WEITRON |
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NPN General Purpose Transistors |
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| MMBT2222 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
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