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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.342 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSS30071MR6T1G | ONSEMI |
完全替代  |
30 V, 0.7 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
|
| MMBT2132T3 | ONSEMI |
完全替代 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2132T1 | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2222 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| MMBT2222 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
|
| MMBT2222 | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor |
|
| MMBT2222 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR(NPN) |
|
| MMBT2222 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
|
| MMBT2222 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBT2222 | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistor |
|
| MMBT2222 | TYSEMI |
获取价格 |
Epitaxial planar die construction. |
|
| MMBT2222 | WEITRON |
获取价格 |
NPN General Purpose Transistors |
|
| MMBT2222 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
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