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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2132T3_06 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor |
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| MMBT2132T3G | ONSEMI |
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General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor |
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| MMBT2132T3G | ROCHESTER |
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700mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN |
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| MMBT2222 | BL Galaxy Electrical |
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NPN General Purpose Amplifier |
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| MMBT2222 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
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| MMBT2222 | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor |
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| MMBT2222 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(NPN) |
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| MMBT2222 | SAMSUNG |
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NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
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| MMBT2222 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBT2222 | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistor |
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