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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2132T1
MMBT2132T1 PDF预览

MMBT2132T1

更新时间： 2024-09-12 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 117K
描述
General Purpose Transistors

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MMBT2132T1 技术参数

Source Content uid：MMBT2132T1是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteObjectid：1531632019
零件包装代码：SC-59包装说明：CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99compound_id：10895108
风险等级：5.29最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.342 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBT2132T1 数据手册

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by MMBT2132T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Bipolar Junction Transistor  
0.7 AMPERES  
(Complementary PNP Device: MMBT2131T1/T3)  
30 VOLTS — V  
(BR)CEO  
342 mW  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
6
5
V
CEO  
4
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
V
40  
V
1
CBO  
2
3
V
5.0  
V
EBO  
CASE 318F–02, STYLE 2  
SC–59 — 6 Lead  
I
C
700  
350  
mA  
mA  
Base Current  
I
B
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
P
R
342  
178  
366  
mW  
mW  
°C/W  
C
D
D
JA  
COLLECTOR  
PINS 2, 5  
Total Power Dissipation @ T = 85°C  
C
(1)  
(2)  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
BASE  
PIN 6  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
P
665  
346  
188  
mW  
mW  
°C/W  
C
D
D
Total Power Dissipation @ T = 85°C  
C
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
R
JA  
EMITTER  
PIN 3  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
NPN  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc)  
C
V
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
(BR)CBO  
40  
30  
—
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc)  
C
(BR)CEO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc)  
E
V
(BR)EBO  
5.0  
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 25 Vdc, I = 0 Adc)  
—
—
—
—
1.0  
10  
E
= 25 Vdc, I = 0 Adc, T = 125°C)  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0 Adc)  
I
Adc  
EBO  
—
—
10  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
FE  
(V  
CE  
= 3.0 Vdc, I = 100 mAdc)  
150  
—
—
—
—
—
—
—
0.25  
0.4  
1.1  
1.0  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
V
CE(sat)  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 700 mAdc, I = 70 mAdc)  
V
V
—
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
(I = 700 mAdc, I = 70 mAdc)  
—
C
B
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 700 mAdc, V = 1.0 Vdc)  
V
BE(on)  
—
C
CE  
1. Minimum FR–4 or G–10 PCB, Operating to Steady State.  
2. Mounted onto a 2″ square FR–4 Board (1″ sq. 2 oz Cu 0.06″ thick single sided), Operating to Steady State.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Motorola, Inc. 1998
1234

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