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MMBD770T1

更新时间： 2024-01-31 00:05:10

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乐山 - LRC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	84K
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Schottky Barrier Diodes

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MMBD770T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW REVERSE LEAKAGE
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.12 W	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

MMBD770T1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky Barrier Diodes

MMBD110T1

MMBD330T1

MMBD770T1

Schottky barrier diodes are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF

detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital

applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 package which is designed for

low–power surface mount applications.

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime

• Very Low Capacitance

• Low Reverse Leakage

• Available in 8 mm Tape and Reel

CASE 419–02, STYLE 2

SOT–323 /SC – 70

DEVICE MARKING

MMBD110T1 = 4M

MAXIMUM RATINGS

Rating

MMBD330T1 = 4T

MMBD770T1 = 5H

Symbol Value

Unit

Reverse Voltage

MMBD110T1

MMBD330T1

MMBD770T1

V_R

7.0

Vdc

Forward Power Dissipation

T_A= 25°C

P_F

120

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

–55 to +125

°C

T_stg

–55 to +150 °C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max Unit

Volts

—

Reverse Breakdown Voltage

(I_R= 10 µA)

V_(BR)R

MMBD110T1

MMBD330T1

MMBD770T1

7.0

—

Diode Capacitance

(V_R= 0, f = 1.0 MHZ, Note 1)

(V_R= 15 Volts, f = 1.0 MHZ)

(V_R= 20 Volts, f = 1.0 MHZ)

Reverse Leakage

(V_R= 3.0 V)

C_T

MMBD110T1

MMBD330T1

MMBD770T1

—

0.88

0.9

1.0

1.5

0.5

1.0

I_R

nAdc

250

200

MMBD110T1

MMBD330T1

MMBD770T1

—

(V_R= 25 V)

(V_R= 35 V)

9.0

Noise Figure

V_F

(f = 1.0 GHz, Note 2)

Forward Voltage

(I_F= 10 mA)

MMBD110T1

—

6.0

—

Vdc

0.6

MMBD110T1

MMBD330T1

—

0.5

0.38

0.52

0.42

0.7

(I_F= 1.0 mAdc)

0.45

0.6

(I_F= 10 mA)

(I_F= 1.0 mAdc)

MMBD770T1

0.5

(I_F= 10 mA)

1.0

MMBD110. 330. 770T1–1/4

12 3 4

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