是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.6 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.7 V | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBD7000LT-1 | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
MMBD7000LT-1 | INFINEON |
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Silicon Switching Diode Array | |
MMBD7000LT1_05 | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
MMBD7000LT1G | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
MMBD7000LT1G_09 | ONSEMI |
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Dual Switching Diode These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS | |
MMBD7000LT3 | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
MMBD7000LT3G | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
MMBD7000S62Z | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon | |
MMBD7000S62Z | TI |
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0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB | |
MMBD7000-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |