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MMBD4148CC

更新时间： 2024-06-27 12:06:05
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
5页 211K
描述
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 4.0 A;Forward Voltage Vf : 1.0 V;Reverse Current Ir : 5 uA;Recovery Time : 4 ns;Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMT/SMD

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MMBD4148CC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：3.61
其他特性：ULTRA FAST配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MMBD4148CC 数据手册

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MMBD4148A  
/SE/CC/CA  
SWITCHING  
DIODE  
FEATURES  
Fast Switching Speed  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
SOT-23  
MARKING:  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
MMBD4148SE  
MMBD4148A  
MMBD4148CA  
MMBD4148CC  
MARKING:5H  
MARKING:D6  
MARKING:D5  
MARKING:D4  
D5  
D4  
D 6  
5 H  
Solid dot = Green molding compound device,  
the normal device  
if none,  
D 5  
D 4  
5 H  
D 6  
Maximum Ratings @Ta=25℃  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
VRM  
100  
V
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
100  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
72  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
IFM  
300  
200  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge  
IFSM  
2.0  
A
Current @ =ꢁ.ꢂP s  
Power Dissipation  
PD  
350  
357  
mW  
℃/W  
℃
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction Temperature  
RθJA  
Tj  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55~+150  
℃
Electrical Ratings @Ta=25℃  
Parameter  
Symbol  
Min  
100  
75  
Typ  
Max  
Unit  
V
Conditions  
V (BR) 1  
V (BR) 2  
VF  
IR=100μA  
IR=5μA  
Reverse breakdown voltage  
Forward voltage  
V
1
5
V
IF=10mA  
VR=75V  
VR=25V  
IR1  
μA  
nA  
pF  
Reverse current  
IR2  
25  
4
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
CT  
VR=0V,f=1MHz  
IF=IR=10mA, VR=6V,  
Irr=0.1XIR,RL=100Ω  
trr  
4
ns  
2016-07  
REV: O2  
12345

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