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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.24 | 其他特性： | ENABLE TIME @ RL=1K |
| 控制类型： | ENABLE HIGH | 系列： | HC/UH |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 负载电容（CL）： | 150 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER | 最大I（ol）： | 0.006 A |
| 位数： | 1 | 功能数量： | 4 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2/6 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 195 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 39 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MM54HC126J/883 | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,HC-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HC126J/883B | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,HC-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HC126J/883C | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,HC-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| MM54HC132J | NSC |
获取价格 |
IC HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Gate |
|
| MM54HC132J | FAIRCHILD |
获取价格 |
NAND Gate, CMOS, CDIP14, |
|
| MM54HC132J | TI |
获取价格 |
HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
|
| MM54HC132J/883C | TI |
获取价格 |
HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
|
| MM54HC133 | NSC |
获取价格 |
13-Input NAND Gate |
|
| MM54HC133E | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate, HC/UH Series, 1-Func, 13-Input, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
|
| MM54HC133E/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,13-INPUT NAND,HC-CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC |
|
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