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MM54C910J/883B

更新时间: 2024-09-14 14:43:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 244K
描述
IC,SRAM,64X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC

MM54C910J/883B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:18
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MM54C910J/883B 数据手册

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