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MM54C910J

更新时间: 2024-09-14 12:21:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路静态存储器输入元件双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
10页 394K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

MM54C910J 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-18针数:18
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:860 ns
其他特性:LG-MAX; WD-MAXJESD-30 代码:R-GDIP-T18
长度:23.24 mm内存密度:256 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:18
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64X4
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MM54C910J 数据手册

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MM54C910,MM74C910  
MM54C910 MM74C910 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory  
Literature Number: SNOS343A  

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