Datasheet > 逻辑 > 栅极> MM54C86N

MM54C86N

更新时间： 2024-09-27 22:46:11

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		栅
页数	文件大小	规格书
4页	104K
描述
Quad 2-Input EXCLUSIVE-OR Gate

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MM54C86N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.91
系列：	TTL/H/L	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e0	长度：	19.18 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	XOR GATE
最大I（ol）：	0.00036 A	功能数量：	4
输入次数：	2	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	185 ns	传播延迟（tpd）：	185 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	15 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

MM54C86N 数据手册

February 1988

MM54C86/MM74C86 Quad 2-Input EXCLUSIVE-OR Gate

General Description

Features

Wide supply voltage range

3.0V to 15V

1.0V

Employing complementary MOS (CMOS) transistors to

achieve wide power supply operating range, low power con-

sumption and high noise margin these gates provide basic

functions used in the implementation of digital integrated

circuit systems. The N- and P-channel enhancement mode

transistors provide a symmetrical circuit with output swing

essentially equal to the supply voltage. No DC power other

than that caused by leakage current is consumed during

static condition. All inputs are protected from damage due

Guaranteed noise margin

High noise immunity

0.45 V (typ.)

Low power

TTL compatibility

Fan out of 2

driving 74L

Low power consumption

10 nW/package (typ.)

The MM54C86/MM74C86 follows the

MM54LS86/MM74LS86 Pinout

to static discharge by diode clamps to V

and GND.

Connection Diagram

Dual-In-Line Package

TL/F/5887–1

Top View

Order Number MM54C86 or MM74C86

Truth Table

Inputs

Output

High Level

Low Level

1995 National Semiconductor Corporation

TL/F/5887

RRD-B30M105/Printed in U. S. A.

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MM54C86N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MM54C86W	NSC	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,FP,14PIN,CERAMIC
MM54C86W/883	NSC	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,FP,14PIN,CERAMIC
MM54C86W/883B	NSC	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,FP,14PIN,CERAMIC
MM54C86W/883C	NSC	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,FP,14PIN,CERAMIC
MM54C86W-MIL	NSC	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,CMOS,FP,14PIN,CERAMIC
MM54C883	ROCHESTER	获取价格	Random Access Read / Write Memory Wide supply voltage range 3.0V ro 15V
MM54C89	ROCHESTER	获取价格	Random Access Read / Write Memory Wide supply voltage range 3.0V ro 15V
MM54C89	NSC	获取价格	64-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory
MM54C89B	ROCHESTER	获取价格	MILITARY TEMPERATURE SRAM in a 16-pin ceramic DIP package
MM54C89D	ROCHESTER	获取价格	Random Access Read / Write Memory Wide supply voltage range 3.0V ro 15V

与MM54C86N相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MM54C86N

MM54C86N 技术参数

MM54C86N 数据手册

与MM54C86N相关器件

与MM54C86N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MM54C86N

MM54C86N 技术参数

MM54C86N 数据手册

与MM54C86N相关器件

与MM54C86N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？