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MM3S05100E3

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	484K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

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MM3S05100E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MM3S05100E3 数据手册

MM3S0520 thru MM3S05100

0.5 Amp Schottky Rectifier

20 – 100 Volts

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

DESCRIPTION

APPEARANCE

These Schottky rectifiers are for general-purpose high-speed switching

applications particularly where a small package is required. This thermally

efficient design permits an average forward current rating of 0.5 amps in a

small SOD-323 package when adequate PC board mounting is provided.

SOD-323

IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

FEATURES

APPLICATIONS / BENEFITS

•

Schottky Barrier Rectifier

Guard Ring Protection

Low Forward Voltage

Reverse Energy Tested

High Current Capability

Extremely Low Thermal Resistance

UL 94V-0 Flammability Classification

•

High-speed switching faster than conventional pn

junction ultrafast rectifiers

•

Small SOD-323 surface mount size and footprint

Low profile height for miniaturized instruments

MAXIMUM RATINGS

MECHANICAL AND PACKAGING

•

Operating Temperature: -65^oC to +125^oC

•

Molded SOD-323 Surface Mount

Weight: 0.012 grams (approximate)

Body marked with device marking code and

polarity band

Storage Temperature: -65^oC to +150^oC

Maximum Thermal Resistance: 60^oC/W Junction

to Lead

•

Tape & Reel per EIA Standard 481-1-A with 7 inch

reel for 3,000 pieces per reel

•

Forward Surge Current (I_FSM): 20 Amps at 8.3 ms,

Soldering Temperatures: 260^oC for 10 sec max

half-sine wave

Average Forward Current (I_O): 0.5 Amps at 30^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25^oC unless otherwise specified

Reverse

Current

@ V_RWM

100^oC

I_R

Working Peak

Reverse

Voltage

V_RWM

Volts

MAX

Leakage

Current

@ V_RWM

I_R

Forward

Voltage*

@ 0.5A

V_F

Capacitance

@ V_R= 4 V,

DEVICE

Part Number

1 MHz

MARKING

Volts

MAX

0.45

MAX

0.5

MAX

TYP

MM3S0520

MM3S0530

MM3S0540

MM3S0560

MM3S0580

MM3S05100

S01

S02

S03

S04

S05

S06

0.5

0.55

0.5

0.55

0.5

0.70

0.5

0.85

100

0.5

0.85

*Pulse test at 300 µs

9-01-2004 REV A

Microsemi

Page 1

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

12 3

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