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MM2102AN-2L/A+

更新时间: 2024-09-29 13:11:39
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
3页 105K
描述
IC,SRAM,1KX1,MOS,DIP,16PIN,PLASTIC

MM2102AN-2L/A+ 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:250 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MM2102AN-2L/A+ 数据手册

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