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MLN2027SS

更新时间： 2024-10-01 22:30:03

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MLN2027SS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MLN2027SS 数据手册

MLN2027SS

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .205 4L STUD

DESCRIPTION:

The ASI MLN2027SS is Designed

for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

#8-32UNC

MAXIMUM RATINGS

10 A

60 V

I_C

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.976 / 24.800

.028 / 0.700

1.000 / 25.4000

.031 / 0.800

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

.138 / 3.500

35 V

.161 / 4.100

.098 / 2.500

.200 / 5.100

.196 / 5.000

.110 / 2.800

.208 / 5.300

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

25 ^OC/W

.004 / 0.100

.425 / 10.800

.200 / 5.100

.006 / 0.150

.465 / 11.800

2.05 / 5.200

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10631

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

4.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

C_ob

P_GE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 2.0 GHz

4.0

V_CE= 25 V

P_OUT= 0.5 W

I_CQ= 100 mA

6.0

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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