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MLN1030S

更新时间： 2024-01-06 11:51:18

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MLN1030S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	28 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MLN1030S 数据手册

MLN1030S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

The ASI MLN1030S is Designed for

45°

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC

0.250 A

40 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

28 V

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

3.5 V

.572 / 14.53

.130 / 3.30

7.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

20 ^OC/W

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10623

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1 mA

I_E= 1 mA

V_CB= 24 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

3.5

0.5

---

h_FE

I_C= 100 mA

I_CQ= 150 mA

120

C_OB

P_G

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 1.0 GHz

5.0

V_CE= 20 V

9.0

P_OUT= 1.0 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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