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MLN1030F

更新时间： 2024-09-28 22:30:03

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MLN1030F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MLN1030F 数据手册

MLN1030F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

ØD

DESCRIPTION:

.060 x 45°

CHAMFER

The ASI MLN1030F is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.132 / 3.35

.125 / 3.18

.117 / 2.97

500 mA

20 V

I_C

.110 / 2.79

.117 / 2.97

V_CE

P_DISS

T_J

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

--- W

-65 ^OC to +200 ^OC

20 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10622

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1 mA

I_C= 5 mA

I_E= 1 mA

V_CE= 18 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CEO

3.5

1.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

C_OB

P_G

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 1.0 GHz

5.0

V_CE= 20 V

P_OUT= 1.0 W

I_CQ= 150 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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