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MLC9-65608L-55/883

更新时间: 2024-01-08 05:39:06
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 519K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,

MLC9-65608L-55/883 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.065 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MLC9-65608L-55/883 数据手册

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