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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MLC9-65608L-55/883 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-55:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-55P883 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-55P883:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-55SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-55SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-70 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-70/883 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-70/883:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, |
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| MLC9-65608L-70:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, |
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