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MLA1N06CL

更新时间: 2024-09-18 21:14:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

MLA1N06CL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TO-220, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR, DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.75 A
最大漏源导通电阻:0.75 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:30 W最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MLA1N06CL 数据手册

  

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