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ML40116R

更新时间: 2024-02-11 05:05:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电半导体
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
Laser Diode, 780nm

ML40116R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE最大正向电压:2.5 V
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:60 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:LASER DIODE标称输出功率:3 mW
峰值波长:780 nm半导体材料:AlGaAs
形状:ROUND尺寸:1.6 mm
子类别:Laser Diodes表面贴装:NO
最大阈值电流:70 mABase Number Matches:1

ML40116R 数据手册

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