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ML40115C

更新时间: 2024-02-14 23:03:44
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三菱 - MITSUBISHI 光电半导体
页数 文件大小 规格书
6页 175K
描述
Laser Diode, 780nm

ML40115C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE配置:SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电压:2.5 VJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:60 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:LASER DIODE标称输出功率:3 mW
峰值波长:780 nm半导体材料:AlGaAs
形状:ROUND尺寸:1.6 mm
子类别:Laser Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大阈值电流:60 mA
Base Number Matches:1

ML40115C 数据手册

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