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MKA04N090LZK

更新时间： 2024-11-06 14:55:27

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小信号金氧半電晶體

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MKA04N090LZK 数据手册

MKA04N090LZK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Drain

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

± 20

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

1.25

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 28/06/2023 Z Rev:02

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