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MKA04N038LK

更新时间： 2024-09-17 14:55:59

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小信号金氧半電晶體

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MKA04N038LK 数据手册

MKA04N038LK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

4.2

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

0.78 ²⁾

Power Dissipation

P_D

1.3 ³⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

160 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

96 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 11/05/2023 Rev:02

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