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MKA03P2K5UK-AH

更新时间： 2024-09-17 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MKA03P2K5UK-AH 数据手册

MKA03P2K5UK-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 10

360

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.4

500

Operating Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_stg

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Steady State

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 19/05/2023 Rev:02

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