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MKA02N013UK

更新时间： 2024-09-16 14:53:39

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小信号金氧半電晶體

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MKA02N013UK 数据手册

MKA02N013UK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation

I_DM

P_D

℃

1.25

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 11/11/2020 CL Rev: 01

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