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MJL21196

更新时间： 2024-09-23 22:30:07
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 139K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJL21196 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-264AA包装说明：CASE 340G-02, TO-3BPL, TO-264, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

MJL21196 数据手册

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by MJL21195/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are  
specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear  
applications.  
*Motorola Preferred Device  
16 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON POWER  
TRANSISTORS  
250 VOLTS  
•
•
•
•
Total Harmonic Distortion Characterized  
High DC Current Gain – h  
Excellent Gain Linearity  
= 25 Min @ I = 8 Adc  
FE  
C
High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second  
200 WATTS  
CASE 340G–02  
TO–3PBL  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
400  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Emitter–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V  
Collector Current — Continuous  
V
CEX  
400  
I
C
16  
30  
(1)  
Collector Current — Peak  
Base Current – Continuous  
I
B
5
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate Above 25°C  
P
D
200  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
– 65 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typical  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
250  
—
—
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 200 Vdc, I = 0)  
I
100  
µAdc  
CEO  
CE  
B
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 µs, Duty Cycle ≤10%.  
(continued)  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1998
123456

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MJL21196 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJL21196G ONSEMI

完全替代

 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

与MJL21196相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJL21196G ONSEMI

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 		16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
MJL3281 MOTOROLA

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