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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJL21195G
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MJL21195G

更新时间： 2024-09-24 03:49:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 164K
描述
16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

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MJL21195G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-264AA包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 340G-02, TO-3BPL, TO-264, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.81Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225729
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-3PBL (TO-264) CASE 340G-02 ISSUE J
Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

MJL21195G 数据手册

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MJL21195, MJL21196  
Preferred Device  
Silicon Power Transistors  
The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter  
technology and are specifically designed for high power audio output,  
disk head positioners and linear applications.  
• Total Harmonic Distortion Characterized  
• High DC Current Gain − h = 25 Min @ I = 8 Adc  
http://onsemi.com  
FE  
C
• Excellent Gain Linearity  
• High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in  
16 A COMPLEMENTARY  
SILICON POWER  
TRANSISTORS  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
• Pb−Free Packages are Available*  
250 V, 200 W  
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
250  
400  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
MJLxxxx  
AYYWWG  
Collector−Emitter Voltage − 1.5 V  
V
400  
CEX  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 1)  
I
16  
30  
C
TO−264  
CASE 340G  
STYLE 2  
Base Current − Continuous  
I
5
Adc  
B
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
200  
1.43  
W
W/°C  
C
D
Derate Above 25°C  
xxxx  
A
= 21195 or 21196  
= Assembly Location  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−ꢀ 65 to  
°C  
J
stg  
+150  
WL, L = Wafer Lot  
YY, Y = Year  
WW, W = Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
G
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
0.7  
°C/W  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤10%.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
June, 2005 − Rev. 3  
MJL21195/D  
12345678

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MJL21195G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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