是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMD,4 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.71 |
其他特性: | STANDBY; ENABLE/DISABLE FUNCTION; BULK | 最长下降时间: | 200 ns |
频率调整-机械: | NO | 频率稳定性: | 100% |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 标称工作频率: | 0.032768 MHz |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
振荡器类型: | HCMOS | 输出负载: | 10 TTL, 15 pF |
物理尺寸: | 5.2mm x 3.4mm x 1.3mm | 最长上升时间: | 200 ns |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 40/60 % | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MJHK3100S-32.768KHZ-T | MMD |
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HCMOS Output Clock Oscillator, | |
MJIA42 | BL Galaxy Electrical |
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300V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor | |
MJIA92 | BL Galaxy Electrical |
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-300V,-0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor | |
MJ-JP56K | JST |
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*MJ连接器具有上接点结构。使用这种结构,即使在连接器与模块化插头嵌合之前,接端子也无浮灰 | |
MJ-JP68K | JST |
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*MJ连接器具有上接点结构。使用这种结构,即使在连接器与模块化插头嵌合之前,接端子也无浮灰 | |
MJK31CTWG | ONSEMI |
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Power Transistor 100 V, 3 A Dual General Purpose NPN | |
MJK32CTWG | ONSEMI |
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Power Transistor 100 V, 3 A Dual General Purpose PNP | |
MJK44H11TWG | ONSEMI |
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80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor | |
MJK45H11TWG | ONSEMI |
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80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor | |
MJL0281A | ONSEMI |
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Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |