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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 7.5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 65 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE8502 | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MJE8502 | NJSEMI |
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NPN BIPOLAR POWER TRANSISTORS |
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| MJE850216 | MOTOROLA |
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5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE850216A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE8502A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE8502AF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE8502AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE8502C | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE8502D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE8502L | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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