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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-225 | 包装说明： | PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-225 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE802_03 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MJE802F | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE802G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE802G | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
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| MJE802LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE802STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE802T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| MJE802T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE802T | CENTRAL |
获取价格 |
4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
|
| MJE802T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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