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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-225AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE703G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE703G | ROCHESTER |
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4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
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| MJE703LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE703T | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| MJE703T | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE703T | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE703TLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MJE710 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
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| MJE710_08 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJE710LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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