5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE702G | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
|
| MJE702LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE702STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE702T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
|
| MJE702T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
|
| MJE702T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
| MJE702TLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| MJE703 | ONSEMI |
获取价格 |
DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY |
|
| MJE703 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
|
| MJE703 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
